Etch transfer into silicon of patterns with a half-pitch of under 20nm

Feb 22, 2016

Etch transfer into silicon of patterns with a half-pitch of under 20nm

Posted by Karen Hurst in category: futurism

An etching process based on a three-layer stack achieves transfer into silicon of patterns with a depth of less than 5nm and a half-pitch of less than 20nm written by thermal scanning probe lithography.

Comments are closed.

Уровень угрозы GETAS Защищено
Ведущий донор: Серджио Тарреро
#2 донор Джек Халперн
#3 донор: Дэн Сточеску
#4 донор: Джаан Таллинн

LF фонд: $615,224.05
LF-500: 13 членов
Патронаж: 1 член
Первый класс: 1 член
Исполнительный уровень: 12 членов
Экономный уровень: 23 членов
A-500: 1 член
Доноры: 5,968

A-PRIZE: $30,017.00
Новости LIFEBOAT: 3,401 подписчиков
Предупреждения GETAS: 573 подписчиков
Блог: 119,476 постов
MYSPACE: 577 друзей
FACEBOOK: 13,828 членов
LINKEDIN: 2,066 членов
Твиттер: 31,735 членов

НаноЩит: $17,018.00
Борьба со СПИДом: 3 членов
FOLDING@HOME: 15 членов
ROSETTA@HOME: 44 членов
A-PRIZE: 55 членов
НаноЩит: 69 членов
ИИ-щит: 25 членов

ИИ-Щит: $4,127.00
SAB: 2,934 членов
Отчёты: 74
Программы: 25
Форумы: 24
Цитаты: 136

© 2002–2024 Lifeboat Foundation