Logic-in-memory based on an atomically thin semiconductor

Jun 25, 2024

Logic-in-memory based on an atomically thin semiconductor

Posted by Dan Breeden in categories: computing, materials

Logic operations and reconfigurable circuits are demonstrated that can be directly implemented using memory elements based on floating-gate field-effect transistors with monolayer MoS2 as the active channel material.

Leave a reply

Уровень угрозы GETAS Защищено
Ведущий донор: Серджио Тарреро
#2 донор Джек Халперн
#3 донор: Дэн Сточеску
#4 донор: Джаан Таллинн

LF фонд: $640,590.05
LF-500: 13 членов
Патронаж: 1 член
Первый класс: 1 член
Исполнительный уровень: 12 членов
Экономный уровень: 23 членов
A-500: 1 член
Доноры: 5,981

A-PRIZE: $30,017.00
Новости LIFEBOAT: 3,395 подписчиков
Предупреждения GETAS: 573 подписчиков
Блог: 120,677 постов
MYSPACE: 577 друзей
FACEBOOK: 13,893 членов
LINKEDIN: 2,066 членов
Твиттер: 31,569 членов

НаноЩит: $17,018.00
Борьба со СПИДом: 3 членов
FOLDING@HOME: 15 членов
ROSETTA@HOME: 44 членов
A-PRIZE: 55 членов
НаноЩит: 69 членов
ИИ-щит: 25 членов

ИИ-Щит: $4,127.00
SAB: 2,934 членов
Отчёты: 74
Программы: 25
Форумы: 24
Цитаты: 136

© 2002–2024 Lifeboat Foundation